Compound semiconductor device and manufacturing method of the same

化合物半導体装置及びその製造方法

Abstract

【課題】ゲートリセス構造を採用し、比較的簡素な構成で確実なノーマリ・オフを得ることができる信頼性の高いMIS型の化合物半導体装置を実現する。 【解決手段】Si基板1上に、電子供給層2dと、電子供給層2dの下方に形成され、電子供給層2dとの界面に2次元電子ガスが生成される電子走行層2cと、電子走行層2cの下方に形成され、電子走行層2cよりも分極の大きい材料からなるチャネル層2bとを有する化合物半導体積層構造2が形成されており、化合物半導体積層構造2に形成されたチャネル層2bに達する溝10A内を、ゲート絶縁膜4を介して埋め込むゲート電極5が形成されている。 【選択図】図5
PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a highly-reliable MIS compound semiconductor device which can obtain assured normally-off by a comparatively simple configuration by employing a recessed gate structure.SOLUTION: A compound semiconductor device comprises: a compound semiconductor lamination structure 2 formed on a Si substrate 1 and including an electron supply layer 2d, an electron transit layer 2c formed under the electron supply layer 2d and in which a two-dimensional electron gas is generated at a boundary with the electron supply layer 2d, and a channel layer 2b formed under the electron transit layer 2c and composed of a material having polarization larger than that of the electron transit layer 2c; and a gate electrode 5 filling via a gate insulation film 4, a groove 10A reaching the channel layer 2b formed in the compound semiconductor lamination structure 2.

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